Il dispositivo oggetto dell’invenzione consiste in una matrice di transistori bipolari npn realizzati in Silicio ad alta resistività aventi regione di collettore in comune e regioni di base ed emettitore separate (pixel) e caratterizzata da geometrie della struttura complessiva e dei singoli pixel rese ottimali per la rivelazione di particelle alfa (He2+) emesse nei decadimenti radioattivi del gas Radon presente nell’ambiente. CAMPO DI APPLICAZIONE La presente invenzione ha per oggetto un dispositivo rivelatore a semiconduttore ottimizzato per la rivelazione di particelle alfa da utilizzarsi all’interno di sistemi per la misura della concentrazione di gas Radon nell’ambiente.
RIVELATORE DI PARTICELLE ALFA - MATRICE DI TRANSISTORI BIPOLARI NPN PER RIVELAZIONE DI PARTICELLE ALFA FINALIZZATA ALLA MISURA DELLA CONCENTRAZIONE AMBIENTALE DI GAS RADON
BATIGNANI, GIOVANNI;BETTARINI, STEFANO;GIORGI, MARCELLO;
2012-01-01
Abstract
Il dispositivo oggetto dell’invenzione consiste in una matrice di transistori bipolari npn realizzati in Silicio ad alta resistività aventi regione di collettore in comune e regioni di base ed emettitore separate (pixel) e caratterizzata da geometrie della struttura complessiva e dei singoli pixel rese ottimali per la rivelazione di particelle alfa (He2+) emesse nei decadimenti radioattivi del gas Radon presente nell’ambiente. CAMPO DI APPLICAZIONE La presente invenzione ha per oggetto un dispositivo rivelatore a semiconduttore ottimizzato per la rivelazione di particelle alfa da utilizzarsi all’interno di sistemi per la misura della concentrazione di gas Radon nell’ambiente.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
