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SAYADI, LUCA
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A Physics-Based Approach to Model Hot-Electron Trapping Kinetics in p-GaN HEMTs
2021-01-01 Modolo, N.; De Santi, C.; Minetto, A.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
The Role of Silicon Substrate on the Leakage Current Through GaN-on-Si Epitaxial Layers
2018-01-01 Sayadi, Luca; Iannaccone, G.; Häberlen, O.; Fiori, G.; Tomberger, M.; Knuuttila, L. O.; Curatola, Gilberto
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| A Physics-Based Approach to Model Hot-Electron Trapping Kinetics in p-GaN HEMTs | 1-gen-2021 | Modolo, N.; De Santi, C.; Minetto, A.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M. | |
| The Role of Silicon Substrate on the Leakage Current Through GaN-on-Si Epitaxial Layers | 1-gen-2018 | Sayadi, Luca; Iannaccone, G.; Häberlen, O.; Fiori, G.; Tomberger, M.; Knuuttila, L. O.; Curatola, Gilberto |