High-gain bipolar phototransistor on high-resistivity silicon substrate: a new device for the detection of ionizing radiation / Batignani G; Bettarini S; Bondioli M; Boscardin M; Bosisio L; Dalla Betta GF; Dittongo S; Forti F; Giorgi MA; Gregori P; Piemonte C; Rachevskaia I; Ronchin S; Zorzi; N. - (2004), pp. 1251-1255. ((Intervento presentato al convegno Nuclear Science Symposium/Medical Imaging Conference tenutosi a Rome, Italy nel OCT 16-22, 2004.
Titolo: | High-gain bipolar phototransistor on high-resistivity silicon substrate: a new device for the detection of ionizing radiation | |
Autori interni: | ||
Anno del prodotto: | 2004 | |
Rivista: | ||
Handle: | http://hdl.handle.net/11568/90886 | |
Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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