EnglishHigh-gain bipolar phototransistor on high-resistivity silicon substrate: a new device for the detection of ionizing radiation / Batignani G; Bettarini S; Bondioli M; Boscardin M; Bosisio L; Dalla Betta GF; Dittongo S; Forti F; Giorgi MA; Gregori P; Piemonte C; Rachevskaia I; Ronchin S; Zorzi; N. - In: IEEE CONFERENCE RECORD - NUCLEAR SCIENCE SYMPOSIUM & MEDICAL IMAGING CONFERENCE. - ISSN 1082-3654. - (2004), pp. 1251-1255. ((Intervento presentato al convegno Nuclear Science Symposium/Medical Imaging Conference tenutosi a Rome, Italy nel OCT 16-22, 2004.
| Titolo: | High-gain bipolar phototransistor on high-resistivity silicon substrate: a new device for the detection of ionizing radiation |
| Autori: | |
| Anno del prodotto: | 2004 |
| Rivista: | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11568/90886 |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11568/90886
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Copyright © 2018