Charge collection measurements with p-type Magnetic Czochralski silicon single pad detectors

Tosi, C.; Bruzzi, M.; Macchiolo, A.; Scaringefla, M.; Petterson, M. K.; Sadrozinski, H. F. W.; Betancourt, C.; Manna, N.; Creanza, D.; Boscardin, M.; Piemonte, C.; Zorzi, N.; Borrello, L.; Messineo, Alberto Maria

doi:10.1016/j.nima.2007.05.295

The charge collected from beta source particles in single pad detectors produced on p-type Magnetic Czochralski (MCz) silicon wafers has been measured before and after irradiation with 26 MeV protons. After a 1 MeV neutron equivalent fluence of I X 10(15) cm(-2) the collected charge is reduced to 77% at bias voltages below 900V. This result is compared with previous results from charge collection measurements. (c) 2007 Published by Elsevier B.V.

Autori interni:	Tosi C. Bruzzi M. Macchiolo A. Scaringefla M. Petterson M. K. Sadrozinski H. F. W. Betancourt C. Manna N. Creanza D. Boscardin M. Piemonte C. Zorzi N. Borrello L. MESSINEO, ALBERTO MARIA mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Autori:	Tosi C.; Bruzzi M.; Macchiolo A.; Scaringefla M.; Petterson M. K.; Sadrozinski H. F. -W.; Betancourt C.; Manna N.; Creanza D.; Boscardin M.; Piemonte C.; Zorzi N.; Borrello L.; Messineo A
Titolo:	Charge collection measurements with p-type Magnetic Czochralski silicon single pad detectors
Anno del prodotto:	2007
Digital Object Identifier (DOI):	10.1016/j.nima.2007.05.295
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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http://hdl.handle.net/11568/109504

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