EnglishThe charge collected from beta source particles in single pad detectors produced on p-type Magnetic Czochralski (MCz) silicon wafers has been measured before and after irradiation with 26 MeV protons. After a 1 MeV neutron equivalent fluence of I X 10(15) cm(-2) the collected charge is reduced to 77% at bias voltages below 900V. This result is compared with previous results from charge collection measurements. (c) 2007 Published by Elsevier B.V.
| Autori: | |
| Autori: | Tosi C.; Bruzzi M.; Macchiolo A.; Scaringefla M.; Petterson M. K.; Sadrozinski H. F. -W.; Betancourt C.; Manna N.; Creanza D.; Boscardin M.; Piemonte C.; Zorzi N.; Borrello L.; Messineo A |
| Titolo: | Charge collection measurements with p-type Magnetic Czochralski silicon single pad detectors |
| Anno del prodotto: | 2007 |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1016/j.nima.2007.05.295 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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http://hdl.handle.net/11568/109504
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