La presente invenzione concerne un dispositivo emettitore di radiazione elettromagnetica comprendente almeno uno strato di materiale semiconduttore atto ad emettere una prima radiazione elettromagnetica in una prima lunghezza d’onda ed almeno uno strato convertitore associato a detto almeno uno strato di materiale semiconduttore. Lo strato convertitore è preposto a convertire almeno parzialmente la prima radiazione elettromagnetica in modo che la radiazione elettromagnetica prodotta dal dispositivo emettitore sia emessa in una seconda lunghezza d’onda differente dalla prima lunghezza d’onda, il materiale dello strato convertitore comprendendo silicio nano-strutturato. La presente invenzione concerne, inoltre, un processo di produzione di detto dispositivo e l’uso di detto silicio nano-strutturato in un dispositivo emettitore per modificarne la sua emissione spettrale. (Fig. 4)

Dispositivo emettitore di radiazione elettromagnetica, processo di produzione di detto dispositivo ed uso di silicio nano-strutturato per l’emissione di detta radiazione

BARILLARO, GIUSEPPE;STRAMBINI, LUCANOS MARSILIO
2012-01-01

Abstract

La presente invenzione concerne un dispositivo emettitore di radiazione elettromagnetica comprendente almeno uno strato di materiale semiconduttore atto ad emettere una prima radiazione elettromagnetica in una prima lunghezza d’onda ed almeno uno strato convertitore associato a detto almeno uno strato di materiale semiconduttore. Lo strato convertitore è preposto a convertire almeno parzialmente la prima radiazione elettromagnetica in modo che la radiazione elettromagnetica prodotta dal dispositivo emettitore sia emessa in una seconda lunghezza d’onda differente dalla prima lunghezza d’onda, il materiale dello strato convertitore comprendendo silicio nano-strutturato. La presente invenzione concerne, inoltre, un processo di produzione di detto dispositivo e l’uso di detto silicio nano-strutturato in un dispositivo emettitore per modificarne la sua emissione spettrale. (Fig. 4)
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