EnglishCaratterizzazione del modello termico di strutture laser a semiconduttore per mezzo di misure di tensione in regime transitorio. / Bagnoli P; A.Piccirillo; M.Ciampa; G.Oliveti. - (1992). ((Intervento presentato al convegno I Workshop A.S.T.E.,' Controllo Termico dei Dispositivi Elettronici'.
| Titolo: | Caratterizzazione del modello termico di strutture laser a semiconduttore per mezzo di misure di tensione in regime transitorio. |
| Autori: | |
| Anno del prodotto: | 1992 |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11568/17411 |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Copyright © 2018