Performance of Carbon Nanotube Field Effect Transistors with Doped Source and Drain Extensions and Arbitrary Geometry / FIORI G; IANNACCONE G; KLIMECK G. - (2005), pp. 522-525. ((Intervento presentato al convegno International Electron Device Meeting tenutosi a Washington, DC, USA nel December 2005.
Titolo: | Performance of Carbon Nanotube Field Effect Transistors with Doped Source and Drain Extensions and Arbitrary Geometry |
Autori interni: | |
Anno del prodotto: | 2005 |
Handle: | http://hdl.handle.net/11568/201596 |
ISBN: | 0780392698 |
Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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