Origin of Substrate Current After Soft-Breakdown in Thin Oxide n-MOSFETs / F. CRUPI; IANNACCONE G; B. NERI; I. CRUPI; R. DEGRAEVE; G. GROESENEKEN; H. E. MAES. - 1(1999), pp. 77-82. ((Intervento presentato al convegno 7th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits tenutosi a Singapore nel 1999.
Titolo: | Origin of Substrate Current After Soft-Breakdown in Thin Oxide n-MOSFETs |
Autori interni: | |
Anno del prodotto: | 1999 |
Handle: | http://hdl.handle.net/11568/205223 |
Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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