Procedimento per la realizzazione di un rivelatore di radiazioni ionizzanti a stato solido

Il procedimento comprende le operazioni di predisporre un substrato (2) di materiale semiconduttore monocristallino di tipo (n) ad alta resistività, in particolare silicio, destinato a fungere da collettore, impiantare in una superficie o faccia (2a) di detto substrato (2) uno strato (3) di tipo p destinato a fungere da base, e impiantare uno strato (4) di tipo n destinato a fungere da emettitore in una porzione della superficie libera di detto strato (3) di tipo p, in modo tale per cui il substrato (2) e detti strati (3,4) formano nel complesso un fototransistore bipolare; e stabilire il punto di lavoro di detto fototransistore bipolare (2-4) mediante provvedimenti suscettibili di definire la corrente di base di tale fototransistore (2-4).