We have measured the current matching properties of MOS transistors operated in the weak inversion region. We measured a total of about 1400 PMOS and NMOS transistors produced in four different processes and report here the results in terms of mismatch dependence on current density, device dimensions, and substrate voltage, without using any specific model for the transistor.
Autori interni: | |
Autori: | FORTI F; WRIGHT ME |
Titolo: | MEASUREMENT OF MOS CURRENT MISMATCH IN THE WEAK INVERSION REGION |
Anno del prodotto: | 1994 |
Digital Object Identifier (DOI): | 10.1109/4.272119 |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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