Sensitivity-based investigation of threshold voltage variability in 32-nm flash memory cells / Bonfiglio V. ; Iannaccone G.. - (2012), pp. 117-120. ((Intervento presentato al convegno European Solid-state Circuit Conference ESSDERC 2012 tenutosi a Bordeaux [10.1109/ESSDERC.2012.6343347].
Titolo: | Sensitivity-based investigation of threshold voltage variability in 32-nm flash memory cells | |
Autori interni: | ||
Anno del prodotto: | 2012 | |
Rivista: | ||
Handle: | http://hdl.handle.net/11568/256948 | |
ISBN: | 9781467317078 | |
Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.