Subthreshold behavior of dual-bit nonvolatile memories with very small regions of trapped charge / L. PERNIOLA; IANNACCONE G; G. GHIBAUDO. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY. - ISSN 1536-125X. - 5:(2006), pp. 373-378. [10.1109/TNANO.2006.876920]
Autori interni: | ||
Autori: | L. PERNIOLA; IANNACCONE G; G. GHIBAUDO | |
Titolo: | Subthreshold behavior of dual-bit nonvolatile memories with very small regions of trapped charge | |
Anno del prodotto: | 2006 | |
Digital Object Identifier (DOI): | 10.1109/TNANO.2006.876920 | |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.