Analytical model for the 1/f noise in the tunneling current through metal-oxide-semiconductor structures / F. CRUPI; G. GIUSI; IANNACCONE G; P. MAGNONE; C. PACE; E. SIMOEN; AND C. CLAEYS. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 106(2009), pp. 073710.1-073710.6.
Autori interni: | |
Autori: | F. CRUPI; G. GIUSI; IANNACCONE G; P. MAGNONE; C. PACE; E. SIMOEN; AND C. CLAEYS |
Titolo: | Analytical model for the 1/f noise in the tunneling current through metal-oxide-semiconductor structures |
Anno del prodotto: | 2009 |
Digital Object Identifier (DOI): | 10.1063/1.3236637 |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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