Compact drain-current model for reproducing advanced transport models in nanoscale double-gate MOSFETs / M. CHERALATHAN; C. SAMPEDRO; J. B. ROLDÁN; F. GÁMIZ; IANNACCONE G; E. SANGIORGI; B. INIGUEZ. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - 26(2011), pp. 095015-1-095015-7.
Autori interni: | |
Autori: | M. CHERALATHAN; C. SAMPEDRO; J. B. ROLDÁN; F. GÁMIZ; IANNACCONE G; E. SANGIORGI; B. INIGUEZ |
Titolo: | Compact drain-current model for reproducing advanced transport models in nanoscale double-gate MOSFETs |
Anno del prodotto: | 2011 |
Digital Object Identifier (DOI): | 10.1088/0268-1242/26/9/095015 |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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