EFFECTS OF INTERFACIAL STATES ON THE CAPACITANCE-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF PD/SIO2/N-SI SCHOTTKY DIODES

BAGNOLI, PAOLO EMILIO;NANNINI, ANDREA
1987-01-01

1987
Bagnoli, PAOLO EMILIO; Nannini, Andrea
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11568/173339
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 4
social impact