A study for the detection of ionizing particles with phototransistors on thick high-resistivity silicon substrates

Batignani, Giovanni; Angelini, Carlo; Bisogni, Maria Giuseppina; Boscardin, M; Bettarini, Stefano; Bondioli, Mario; Bosisio, L; Bucci, F; Calderini, Giovanni; Carpinelli, Massimo; Ciacchi, M; Dalla Betta GF,; Dittongo, S; Forti, Francesco; Giorgi, Marcello; Gregori, P; Han, Dj; Manfredi, Pf; Manghisoni, M; Marchiori, Giovanni; Neri, Nicola; Novelli, M; Paoloni, Eugenio; Piemonte, C; Rachevskaia, I; Rama, Matteo; Ratti, L; Re, V; Rizzo, Giuliana; Ronchin, S; Rosso, Valeria; Simi, G; Speziali, V; Stefanini, Arnaldo; Zorzi, N.

doi:10.1016/j.nima.2004.05.055

We report on bipolar NPN phototransistors fabricated at ITC-IRST on thick high-resistivity silicon substrates. The phototransistor emitter is composed of a phosphorus n + implant, the base is a diffused high-energy boron implant, and the collector is the 600-800 mum thick silicon bulk, contacted on the backplane. We have studied the current amplification for two different doping profiles of the emitter, obtaining values of beta ranging from 60 to 3000. For various emitter and base configurations, we measured the static device characteristics and extracted the leakage currents and the base resistance, verifying the fundamental relationship between them and the total base capacitances. The use of such phototransistors to detect ionizing particles is exploited and discussed. (C) 2004 Published by Elsevier B.V. RI Forti, Francesco/H-3035-2011; Neri, Nicola/G-3991-2012; Dalla Betta, Gian-Franco/I-1783-2012

Autori interni:	BATIGNANI, GIOVANNI ANGELINI, CARLO BISOGNI, MARIA GIUSEPPINA Boscardin M BETTARINI, STEFANO BONDIOLI, MARIO Bosisio L Bucci F CALDERINI, GIOVANNI CARPINELLI, MASSIMO Ciacchi M Dalla Betta GF Dittongo S FORTI, FRANCESCO GIORGI, MARCELLO Gregori P Han DJ Manfredi PF Manghisoni M MARCHIORI, GIOVANNI NERI, NICOLA Novelli M PAOLONI, EUGENIO Piemonte C Rachevskaia I RAMA, MATTEO Ratti L Re V RIZZO, GIULIANA Ronchin S ROSSO, VALERIA Simi G Speziali V STEFANINI, ARNALDO Zorzi N. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Autori:	Batignani G; Angelini C; Bisogni M; Boscardin M; Bettarini S; Bondioli M; Bosisio L; Bucci F; Calderini G; Carpinelli M; Ciacchi M; Dalla Betta GF; Dittongo S; Forti F; Giorgi MA; Gregori P; Han DJ; Manfredi PF; Manghisoni M; Marchiori G; Neri N; Novelli M; Paoloni E; Piemonte C; Rachevskaia I; Rama M; Ratti L; Re V; Rizzo G; Ronchin S; Rosso V; Simi G; Speziali V; Stefanini A; Zorzi N
Titolo:	A study for the detection of ionizing particles with phototransistors on thick high-resistivity silicon substrates
Anno del prodotto:	2004
Digital Object Identifier (DOI):	10.1016/j.nima.2004.05.055
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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http://hdl.handle.net/11568/187259

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